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2、计量单位 采用国家法定计量单...
新型微电子技术电离辐射总剂量效应面临的挑战
作者： 郭红霞 ; 王伟 ; 张凤祁 ; 罗尹虹 ; 张科营 ; 赵雯
摘要： 随着器件特征尺寸的不断减小，在器件结构和工艺上采取了新的措施。分析了STI（shallow trench isolation）隔离导致器件电离辐射总剂量效应的损伤机理；对不同工艺集成电路的抗总剂量TID（TotalIonizingDose）能力进行了比较分析；对近来比较关注的重离子引起的微剂量效应进行了介绍；最后对可能替代体硅器件的新型器件总剂量效应能力进行了预估。
关键字： 浅槽隔离 总剂量效应 微剂量效应 STI Total dose effects Mico dose effects