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晶闸管强触发电路设计
作者： 郭帆 [1,2] ; 王海洋 [2] ; 何小平 [2] ; 周竞之 [2]
摘要：为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小（小于4 ns）,具有较高的稳定性和可靠性。
关键字： 晶闸管 门极触发电流 强触发方式 功率MOSFET