金硅面垒型半导体探测器在α能谱测量中的应用研究
作者: 丁卫撑 [1,2] ; 王义 [2] ; 王敏 [1] ; 黄洪全 [1]
摘要:针对α能谱测量需要探测器能量分辨率高、性能稳定及探测效率高等要求,选用金硅面垒型半导体探测器进行α能谱测量。论述了金硅面探测器的主要性能指标及影响因素,同时针对探测器输出信号的特点以及仪能谱测量要求,从理论上分析了前置放大器的类型及设计时需要注意的事项,并设计了一种实用低噪声电荷灵敏前置放大器。实测α能谱数据表明,性能满足α能谱测量要求。
关键字: 探测器 α能谱 放大器 噪声