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功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究

作者：王立新 ; 单尼娜 ; 刘刚 ; 韩郑生 ; 夏洋

摘要：对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究，条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势，中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管，抗总剂量能力可达1400kHId（Si）以上。

关键字：双扩散场效应晶体管阈值漂移条形栅