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2、计量单位 采用国家法定计量单...
SiC半导体探测器性能测量研究
作者： 蒋勇 [1,2] ; 范晓强 [1] ; 荣茹 [1] ; 吴建 [1] ; 柏松 [3] ; 李理 [3]
摘要：采用241Am—a粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能，计算了空气和肖特基Ni／Au层厚度对OL粒子的能量损失，测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明：0．8cm的空气层对d粒子有20％的能量损失，3．5μm的肖特基Au层对a粒子有39％的能量损失。在1700Pa的低真空环境中、350V偏压下SiC探测器达到最佳工作条件，此时探测器的上升时间为76．9ns，输出幅度为22．8mV，能量分辨率为13．7％。采用更薄肖特基金属镀层（≤0．1μm）可制备出更高能量分辨率的SiC探测器。
关键字： SiC探测器 宽禁带 α粒子 能量分辨率