期刊简介
投稿须知
1、文稿 来稿内容务必真实可靠,具有严谨的科学性和知识或技术的先进性。论点明确,数据可靠,文字简练。文章首页页脚处注明:课题资助项目名称(编号)和第一作者简介[姓名(出生年月-)、性别、民族、籍贯、职称、学位、研究方向]。稿件规格为A4纸,正文用 5号宋体。投稿请使用电子邮件附件的形式。投稿时请注明作者的电话、 E-mail、地址及邮编等联系方式。 2、计量单位 采用国家法定计量单...
当前位置:首页 > 期刊导读 > 2013 > 01 > 正文

基于商用工艺的抗辐射触发器单元设计

作者: 王少熙 ; 王康 ; 樊晓桠 ; 张盛兵

摘要:修改芯片中的电路拓扑结构以及版图结构实现抗辐射性能,并最终通过商用半导体工艺制造线生产抗辐射芯片是目前抗辐射设计的一个重要思路。论文结合双互锁单元技术(DICE)、空间冗余技术(TMR)、时间滤波技术(TS)和RC滤波技术4种加固技术,完成抗辐射D触发器单元设计。最后通过理论分析和模拟仿真验证其抗辐射性能。


关键字: 商用工艺    抗辐射    触发器      


上一篇:基于混合滤波器的X射线液体图像滤波算法
下一篇:基于数字微分滤波与降噪分析的核信号脉冲检测