期刊简介
投稿须知
1、文稿 来稿内容务必真实可靠，具有严谨的科学性和知识或技术的先进性。论点明确，数据可靠，文字简练。文章首页页脚处注明:课题资助项目名称(编号)和第一作者简介[姓名（出生年月-）、性别、民族、籍贯、职称、学位、研究方向]。稿件规格为A4纸，正文用 5号宋体。投稿请使用电子邮件附件的形式。投稿时请注明作者的电话、 E-mail、地址及邮编等联系方式。
2、计量单位 采用国家法定计量单...
4H—SiC肖特基二极管α探测器研究
作者： 陈雨 [1] ; 范晓强 [2,3] ; 蒋勇 [2,3] ; 吴健 [2,3] ; 白立新 [1] ; 柏松 [4] ; 陈刚 [4] ; 李理 [4]
摘要：碳化硅（SiC）是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料，可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5．486MeV的α粒子研究4H—SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中，使SiC探测器暴露在仪粒子下，SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5．486MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3．4％；经前置放大器FH1047输出和示波器观测，脉冲幅度随偏压增加而稳定在（35．39±0．21）mV；脉冲上升时间随偏压增加而稳定在（137．87±9．44）ns。4H—SiC肖特基二极管对α粒子响应良好，可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性，进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。
关键字： α探测器 肖特基二极管 4H—SiC