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基于蒙特卡罗方法的GaN，SiC等半导体β辐射特性研究
作者： 左国平 [1,2] ; 周剑良 [1] ; 柯国土 [2]
摘要：利用蒙特卡罗方法研究了GaN、SiC等几种宽带隙半导体材料在β源辐照下的行为。结果表明表层中沉积的β粒子数密度随材料密度的增加而增加，其最大电子数密度与物质密度间存在近似的线性关系；电子数密度随粒子入射深度成指数衰减，随横向迁移距离的增加而迅速衰减，其横向最大迁移距离在6mm左右。相对高能电子而言，低能电子更容易发生电离作用，且电子的沉积能随入射深度逐渐减少。对于0．1～500keV的入射电子，GaN、SiC等半导体材料的背散射系数大约在0．04—0．38之间，其大小与材料及入射电子能量有关。β粒子在GaN、SiC等材料中的射程都比较短，对于0．5MeV的β粒子其最大射程不超过1mm。
关键字： 蒙特卡罗方法 宽带隙半导体 电子数密度 背散射系数 射程