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HPGe探测器体源效率面源模拟刻度技术

作者: 田自宁 [1,2] ; 欧阳晓平 [1,2] ; 冯天成 [2] ; 雷震 [2] ; 李安 [2] ; 周腾飞 [2]

摘要:使用面源模拟刻度体源不同高度处薄层的探测效率,随高度积分获得了妒5mm×25mm州Am体源及气态私。Am源的探测效率,模拟刻度结果和LabSOCS计算值的偏差在±7%以内。同理,使用LabSOCS无源效率刻度技术进行面源分层刻度计算,并随高度积分获得+75mm×25mm尺寸^133Xe气体源和啪Cs液体源探测效率,模拟刻度结果和LabSOCS计算值的偏差在±l%以内。实验和理论计算证明面源模拟刻度技术是有效可行的。相对体源刻度技术,面源刻度可以省去样品源制作及运输,大大提高工作效率。


关键字: 面源    LabSOCS    效率刻度      


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