深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
作者: 李斌 ; 许跃彬 ; 潘元真
摘要:总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要原因。针对此现象,通过引入表面势分量φnd,描述了总剂量辐照效应下STI场氧隔离区固定电荷和界面态变化特性,对STI场氧隔离区引入的寄生晶体管进行建模,修正了漏电流方程,新的模型可以较准确地描述深亚微米CMOS器件在总剂量辐照应力下的退化特性。
关键字: 总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化
上一篇:时间间隔分析法在放射性测量中的应用
下一篇:铀矿尘所致人体内照射剂量研究