基于功率 MOSFET 的高速高压脉冲产生器

作者： 杜继业 ; 宋岩 ; 郭明安 ; 宋顾周 ; 马继明

摘要：通过研究功率MOSFET器件的开关特性和脉冲产生技术，设计了互补推挽和集成芯片两种MOSFET栅驱动脉冲电路，其较好的驱动能力，极大的提升了MOSFET的开关速度，分别实现了上升（下降）时间小于5 ns和2．5 ns、输出幅度300～500 V、脉冲宽度5 ns～0．2ms可调的高速、高压的脉冲产生与放大。据此研制成功的脉冲产生器具有稳定性好、带负载能力强、输出脉宽调节范围大、体积小等特点。该脉冲产生器已成功应用于像增强器高速摄影的电子快门装置，并在其他需要高速、高压脉冲领域有一定应用前景。

关键字： 高压脉冲    MOSFET    脉冲产生器    驱动电路      

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