MC法模拟B4 C/Al复合材料热中子辐照损伤
作者: 张宏俊 ; 王雷 ; 张齐昊 ; 熊忠华
摘要: 利用MC法模拟了热中子被^10B吸收产生的He和Li离子入射到B4C/Al材料中的作用全过程,获得了He离子和Li离子在材料中的射程、发散角、离位原子以及能量沉积等分布,并计算出热中子辐照引起的DPA。模拟结果显示,He离子在其路径上引起的离位主要是在其径迹末端,在其路径的前段引起离位较少;Li离子不仅在其径迹末端引起大量原子离位,在其路径的前段同样会引起一定量的原子离位;在能量相差不大的情况下,同一种离子引起的原子离位数基本相同;当热中子注量达到2.39×10^19/cm^2时,DPA为1,其深度分布近似指数衰减特征。
关键字: SRIM软件 蒙特卡罗软件 铝基碳化硼 辐照损伤 平均原子离位 SRIM MCNP B4C