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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管，由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办，是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物，主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。
本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度，多年来一直...
ESD对双极型硅器件的损伤机理研究
作者： 刘进 [1] ; 陈永光 [1] ; 谭志良 [1] ; 谢鹏浩 [1]
摘要： 通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式。ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度（1 413℃）而使器件击穿烧毁;ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度（577℃）,使器件参数退化从而发生潜在性失效。将实验结果与模型分析比较,结果吻合良好。因此,在知道器件生产工艺参数的情况下,就可计算出器件的ESD损伤阈值,为双极型硅器件的设计、参数优化提供了理论依据。
关键字： 静电放电 损伤机理 双极型硅器件 模型 ESD Failure Mechanism Bipolar Silico
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