PIN硅光二极管在n/γ混合辐射场中的探测技术研究
作者: 黄平 [1,2] ; 方方 [1] ; 张友德 [2] ; 龚岚 [2]
摘要: PIN硅光型半导体探测器较传统辐射探测器具有响应快、抗干扰强、体积小、灵敏度高、能量分辨率高以及无需高压等优点,在个人剂量仪、X射线荧光分析、镀层测厚、放射诊断等粒子辐射测量领域中被广泛采用。采用6LiI与BGO晶体把n和γ射线转换至PIN的有效光谱探测范围内,同时参考PIN硅光二极管的电路等效模型,设计与之匹配的电荷前放电路和整机测量系统,对前放噪声、射线脉冲波形以及电磁辐射干扰进行数字采样频谱分析,最后完成对探测器重复性、灵敏度、能量响应的性能测试实验。
关键字: PiN 前放 灵敏度 能量响应 PIN Preamplifier Sensitivity Energy response