集成运算放大器的中子辐照损伤效应研究
作者: 李杰 刘远 罗心月 恩云飞 何玉娟 广东工业大学信息工程学院 广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 广东广州510610
摘要:论文针对双极型运算放大器的中子辐照损伤效应开展实验与理论研究。从双极型器件的中子辐照损伤机理出发,考虑器件电流增益随中子注量的退化,对集成运放的偏置电流、开环增益、共模抑制比与电源抑制比等敏感参数展开试验与理论研究。基于中子辐照损伤系数,针对集成运放中敏感参数随中子注量的退化进行仿真研究,并通过电路敏感性分析明确运放中子辐照损伤的敏感器件与敏感单元。
关键字: 集成运算放大器 中子辐照效应 损伤机理 实验与仿真
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