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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管,由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办,是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物,主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。 本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度,多年来一直...
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高通量堆NTD硅系统活化剂量计算

作者: 雷鸣 周春林 李子彦 邹德光 刘鹏 蔡文超    中国核动力研究设计院 成都610005

摘要:根据单晶硅及靶桶材料成分、测量的辐照孔道中子通量谱与辐照时间,采用点燃耗程序ORIGEN与蒙特卡罗程序MCNP耦合计算高通量堆中子嬗变掺杂(NTD)硅辐照系统活化后的外照射剂量当量率及各种活化产物放射性核素衰减变化情况,同时对各种活化核素剂量率贡献及相应衰减时间进行了分析。通过计算结果与堆厅γ电离室剂量率监测对比验证及堆厅屏蔽层厚度的保守估算,表明目前NTD硅系统转运过程屏蔽设计满足辐射防护要求,并提出有益建议。


关键字: 高通量堆    剂量当量    NTD硅    ORIGEN   


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