期刊简介
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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管，由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办，是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物，主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。
本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度，多年来一直...
碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较
作者： 张凌民 崔兴柱 魏志鹏 郭东亚 刘雅清 乔锐 彭文溪 王晓华 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 长春130022 中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室 北京100049
摘要：碳化硅（Si C）材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,而被视为制作耐高温和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料。本文采用Geant4模拟得到了30μm厚的Si C和Si材料对不同能量的电子、质子、α粒子以及X射线的响应,并对Si C和Si探测器器件的I-V特性和能谱测量结果进行了比较。仿真及试验结果证明,Si C粒子阻挡本领及X射线探测效率与Si探测器相当,Si C与Si探测器对带电粒子的能谱分辨率也没有明显差别。
关键字： SI C Geant4 辐射探测
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