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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管，由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办，是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物，主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。
本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度，多年来一直...
原位光电子能谱研究La2O3/LaAlO3/Si电子结构
作者： 高宝龙 买买提热夏提·买买提 亚森江·吾甫尔 阿布都艾则孜·阿布来提 新疆大学物理科学与技术学院 乌鲁木齐830046
摘要：在超高真空条件下,通过脉冲激光技术沉积La2O3/LaAlO3/Si多层膜结构,原位条件下利用同步辐射光电子能谱研究了LaAlO3作为势垒层的La2O3与Si的界面电子结构。实验结果显示,LaAlO3中Al的2p峰在沉积和退火前后没有变化;衬底硅的芯能级峰在沉积LaAlO3时没有变化,但在沉积La2O3薄膜和退火过程中,硅峰变弱;O的1S芯能级的峰由多种不用的氧化物薄膜层和反应物中的氧杂化而成。结果表明：LaAlO3从沉积到退火当中,不参与任何反应,Si与LaAlO3界面相当稳定;在体系中,阻挡层LaAlO3起到阻挡硅扩散的作用,进一步表明La2O3与硅的界面不太稳定。
关键字： 脉冲激沉积 La2O3 LaAlO3 光电子能谱