期刊简介
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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管，由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办，是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物，主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。
本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度，多年来一直...
碳化硅热中子探测器的优化设计
作者： 张少华 [1] ; 吴健 [1] ; 蒋勇 [2]
摘要： 采用MC法对用于热中子探测的碳化硅探测器开展设计。优化了中子转换层参数和半导体器件参数。研究表明采用”B作为中子转换材料，其最优厚度为2μm，在系统甄别阈为300keV时对应的探测效率理论值为3．29％。制备了碳化硅外延层厚度20μm，灵敏区面积5mm×5nl／n的碳化硅器件，在外加反向偏压达180V时，其漏电流仅20．8nA。性能测试表明：该器件对4．7—6．0MeV的n粒子具有极好的能量线性，其线性度达0．99997。对5．49MeV的a粒子的能量分辨率为1．03％，对应半高宽57．3keV，与SiC高分辨α探测器分辨率相当。
关键字： 碳化硅 MC模拟 中子探测 半导体探测器 Silicon carbide Monte - Carlo simul