期刊简介
投稿须知
《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管,由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办,是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物,主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。 本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度,多年来一直...
当前位置:首页 > 期刊导读 > 2016 > 05 > 正文

HPGe探测器能量刻度及探测效率模拟

作者: 张帅 [1,2] ; 吴金杰 [2] ; 吴冲 [1] ; 陈成 [2,4] ; 王佳 [2,3]

摘要: X光机绝对光子数的测量在X射线计量中有着十分重要的意义,对其进行测量时需先将探测器的能量一道址函数进行刻度。本文使用放射源对HPGe探测器进行能量刻度,得到其能量一道址函数且其线性相关系数R^2=0.99984。论文结合了CT成像技术,对探测器进行平行光束探测效率的MC模拟,使建模更精确。模拟结果显示,探测效率曲线在11.0keV处会出现吸收边,是因为Ge元素被激发产生Kα、Kβ特征X射线发生逃逸,未被记录下来形成逃逸峰所致,这与实际实验情况相符。


关键字: HPGe探测器     X射线计量     MC模拟     HPGe   detector     X   -   ray   metrology     MC   simulation       


上一篇:微结构半导体中子探测器研制
下一篇:系统电磁脉冲空间电荷层振荡特性数值模拟研究