EPROM脉冲总剂量损伤效应实验研究
作者: 罗尹虹 [1] ; 姚志斌 [1] ; 张凤祁 [1] ; 郭红霞 [1] ; 张科营 [1] ; 王园明 [1] ; 何宝平 [1]
摘要: 针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试,所测参数少的现状,提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法,并对浮栅型存储器EPROM初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影响的效应研究,分析了损伤机理。研究结果表明,脉冲总剂量引起存储单元阈值电压向负方向发生明显漂移,在不加电和静态加电两种情况下,存储单元阈值电压漂移基本一致。
关键字: EPROM 阈值电压 脉冲总剂量 EPROM threshold voltage pulssed total dose