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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管,由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办,是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物,主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。 本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度,多年来一直...
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EPROM脉冲总剂量损伤效应实验研究

作者: 罗尹虹 [1] ; 姚志斌 [1] ; 张凤祁 [1] ; 郭红霞 [1] ; 张科营 [1] ; 王园明 [1] ; 何宝平 [1]

摘要: 针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试,所测参数少的现状,提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法,并对浮栅型存储器EPROM初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影响的效应研究,分析了损伤机理。研究结果表明,脉冲总剂量引起存储单元阈值电压向负方向发生明显漂移,在不加电和静态加电两种情况下,存储单元阈值电压漂移基本一致。


关键字: EPROM     阈值电压     脉冲总剂量     EPROM     threshold   voltage     pulssed   total   dose       


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