半导体阵列微剂量探测器前端读出电路设计
作者: 袁媛 刘书焕 龙彪 刘晓波 李浩伟 张国和 杜雪成 贺朝会 西安交通大学 西安710049
摘要:根据三维Si SOI PIN像素微剂量探测器特性参数,设计了一种基于GF chrt0181C CMOS工艺的前端读出电路。该读出电路主要包括PMOS输入的电荷灵敏前前置放大器,有源整形滤波电路,电压比较器及基准电流源等,可实现对微剂量信号的放大、滤波降噪、甄别输出等功能。仿真测试表明:能量探测范围为5~500fC,单通道功耗约为2mW.总噪声性能为0.05fC+1.6×10^-1fC/pF。
关键字: 微剂量探测器 电荷灵敏前放(CSA) SOI 专用集成电路
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