BESIII升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究
作者: 付婷婷 [1] ; 伍灵慧 [2] ; 张晋 [2] ; 王亮亮 [2] ; 袁野 [2] ; 张瑶 [2] ; 李明非 [1] ; 刘怀民 [2]
摘要: 硅像素径迹室是BESIII升级项目之一,离线软件校准是其离线数据处理系统的重要组成部分,研究过程采用蒙特卡罗方法,将残差法应用于漂移室升级项目中硅像素径迹室的几何位置校准,分别以ladder、芯片为最小探测单元进行研究,结果表明,该方法可有效应用于硅像素径迹室的位置校准。
关键字: 硅像素径迹室 漂移室 校准 残差法 Silicon Pixel Tracker MDC alignment Residual Method