诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究
作者: 陈善强 [1,2] ; 师立勤 [1]
摘要: 针对TSMC 0.18μm CMOS工艺分析了高能粒子入射漏区以及周围区域时NMOS管的电荷分享和电荷收集情况,并定量评估了节点隔离对电荷分享的影响。研究结果表明器件周围的区域比漏区更容易诱发多位翻转,因为高能粒子在器件周围区域产生的电子-空穴对在扩散作用下更容易到达各相邻灵敏单元,进而诱发多位翻转;节点隔离可以抑制电荷在相邻灵敏单元间的扩散,能够有效降低电荷收集和多位翻转。
关键字: 电荷分享 节点隔离 多位翻转 TCAD Charge Sharing Nodal Separation Multiple -Bit Upset TCAD
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