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《核电子学与探测技术》系中国核工业集团公司主管,由中国核工业集团公司北京核仪器厂主办,是中国核学会、中国电子学会所属核电子学与核探测技术分会会刊。本刊为专业学术性刊物,主要刊登核仪器、核电子学、核探测器与测试技术方面的研究成果和论文。读者对象主要为核电子学、核探测技术方面的研究人员及大专院校师生。 本刊一直在核仪器、核电子学与核探测领域保持着较高的声誉和知名度,多年来一直...
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诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究

作者: 陈善强 [1,2] ; 师立勤 [1]

摘要: 针对TSMC 0.18μm CMOS工艺分析了高能粒子入射漏区以及周围区域时NMOS管的电荷分享和电荷收集情况,并定量评估了节点隔离对电荷分享的影响。研究结果表明器件周围的区域比漏区更容易诱发多位翻转,因为高能粒子在器件周围区域产生的电子-空穴对在扩散作用下更容易到达各相邻灵敏单元,进而诱发多位翻转;节点隔离可以抑制电荷在相邻灵敏单元间的扩散,能够有效降低电荷收集和多位翻转。


关键字: 电荷分享     节点隔离     多位翻转     TCAD     Charge   Sharing     Nodal   Separation     Multiple   -Bit   Upset     TCAD       


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